Felt-effekttransistorer (FET-er) er spennings-kontrollerte enheter, mens transistorer er strøm-kontrollerte enheter. FET-er bør velges når bare et lite strømtrekk fra signalkilden er tillatt; omvendt bør transistorer velges når signalspenningen er lav, men et større strømtrekk tillates. FET-er leder ved å bruke majoritetsbærere, derfor kalles de unipolare enheter, mens transistorer leder ved å bruke både majoritets- og minoritetsbærere, og derfor kalles de bipolare enheter.
Noen FET-er har utskiftbare kilde- og avløpsterminaler, og gatespenningen deres kan være positiv eller negativ, noe som gir større fleksibilitet enn transistorer.
FET-er kan operere under forhold med svært lav strøm og lav spenning, og deres produksjonsprosesser muliggjør enkel integrering av mange FET-er på en enkelt silisiumbrikke. Derfor er FET-er mye brukt i-storskala integrerte kretser.
