DC-parametere
Saturation Drain Current (IDSS): Definert som dreneringsstrømmen når gate-kildespenningen er null, men drain-kildespenningen er større enn pinch-off-spenningen.
Pinch-off Voltage (UP): Definert som UGS som kreves for å redusere ID til en svært liten strøm når UDS er konstant.
Take-off Voltage (UT): Definert som UGS som kreves for å bringe ID til en viss verdi når UDS er konstant.
AC-parametre
AC-parametere kan deles inn i to kategorier: utgangsmotstand og lav-transkonduktans. Utgangsmotstanden er vanligvis mellom titalls og hundrevis av kilohm, mens lav-transkonduktans vanligvis er i området fra noen få tideler til noen få millisievert, med noen når 100 ms eller enda høyere.
Lav-transkonduktans (gm): Beskriver kontrolleffekten av gate-kildespenningen på dreneringsstrømmen.
Inter-electrode Capacitance: Kapasitansen mellom de tre elektrodene til en MOSFET. En mindre verdi indikerer bedre transistorytelse.
Begrensende parametere
① Maksimal dreneringsstrøm: Den øvre grensen for tillatt dreneringsstrøm under normal drift av transistoren.
② Maksimal effekttap: Effekten i transistoren, begrenset av transistorens maksimale driftstemperatur.
③ Maksimal dreneringskilde-kildespenning: Spenningen som skredbrudd oppstår ved når dreneringsstrømmen begynner å stige kraftig.
④ Maksimal gate-kildespenning: Spenningen der reversstrømmen mellom gate og kilde begynner å øke kraftig.
I tillegg til parametrene ovenfor er det andre parametere som inter-elektrodekapasitans og høy-frekvensparametere.
Drain- og kildegjennombruddsspenning: Når avløpsstrømmen stiger kraftig, oppstår UDS (Upper Demand) under snøskred.
Gategjennombruddsspenning: Under normal drift av en koblingsfelt-effekttransistor (JFET), er PN-krysset mellom gate og kilde reversert-forspent. Hvis strømmen er for høy, vil det oppstå sammenbrudd.
Hovedparametrene å fokusere på under bruk er:
1. IDSS-metningsavløp-kildestrøm. Dette refererer til drenerings-kildestrømmen i et kryss eller utarming-type isolert-gatefelt-effekttransistor når portspenningen UGS=0.
2. OPP-Klym-av spenning. 3. **UT-Ta-på spenning:** Gatespenningen som drain-kildekrysset akkurat er slått av i et veikryss-type eller utarming-type isolert2.Effekt{1}(IGF)(Isolert felt{1}}(IG).
4. gM-Transkonduktans: Representerer kontrollevnen til gate-kildespenningen UGS over dreneringsstrøm-IDen, dvs. forholdet mellom endringen i dreneringsstrøm-ID og endringen i gate-kildespenning UGS. gM er en viktig parameter for å måle amplifikasjonsevnen til en IGFET.
5. BUDS-Drain-Source Breakdown Voltage: Den maksimale drain-kildespenningen som IGFET kan tåle under normal drift når gate-kildespenningen UGS er konstant. Dette er en begrensende parameter; driftsspenningen påført IGFET må være mindre enn BUDS.
6.PDSM-Maksimal effekttap: Også en begrensende parameter refererer den til maksimalt tillatt tap-kildeeffekt uten å forringe ytelsen til IGFET. I bruk skal det faktiske strømforbruket til IGFET være mindre enn PDSM med en viss margin. 7. **IDSM-Maksimal drain-Kildestrøm:** IDSM er en begrensende parameter som refererer til den maksimale strømmen som tillates å passere mellom avløpet og kilden til en felt-effekttransistor (FET) under normal drift. Driftsstrømmen til FET bør ikke overstige IDSM.
