En felt-effekttransistor (FET) er en unipolar halvlederenhet hvis strøm styres av et elektrisk felt. Den trekker praktisk talt ingen strøm eller ekstremt lav strøm ved inngangen, og har høy inngangsimpedans, lav støy, god termisk stabilitet og enkle produksjonsprosesser. Den er mye brukt i integrerte kretser i stor-skala og veldig-stor-skala.
FET-er, med sine fordeler med lavt strømforbruk, stabil ytelse og sterk strålingsmotstand, erstatter gradvis transistorer i integrerte kretser. Imidlertid er de fortsatt ganske delikate. Selv om de fleste har innebygde-beskyttelsesdioder, kan de fortsatt bli skadet hvis de ikke håndteres forsiktig. Derfor anbefales forsiktighet i søknaden deres.
